شركتا TetraMem وSK hynix تستعرضان نجاح تعاونهما التقني في تطوير حوسبة الذكاء الاصطناعي المرتكزة على الذاكرة

(BUSINESS WIRE)-- أعلنت اليوم شركة TetraMem Inc.‎، الرائدة في مجال تكنولوجيا الحوسبة التناظرية داخل الذاكرة (A-IMC)، وشركة SK hynix Inc.‎، الرائدة عالميًا في مجال تقنيات الذاكرة المدعومة بالذكاء الاصطناعي وأشباه الموصلات، عن إتمام تعاونهما التقني المشترك بنجاح، والذي توّج بنشر ورقتهما البحثية بعنوان: "نظام SoC للحوسبة داخل الذاكرة قائم على الميمريستور مع عملية التفاف حسب العمق فعّالة" في مجلة Advanced Intelligent Systems. كما تم اختيار هذا العمل ليكون موضوع الغلاف الرئيسي للمجلة، تقديرًا لما ينطوي عليه من ابتكار تقني وتأثيره المحتمل في مجال حوسبة الذكاء الاصطناعي من الجيل التالي.

يجمع هذا التعاون بين خبرة SK hynix في تقنيات الذاكرة المتقدمة ومنصة TetraMem للحوسبة التناظرية داخل الذاكرة في بوتقة واحدة لاستكشاف بنيات حوسبية جديدة قادرة على مواجهة أحد أبرز التحديات التي تواجه الذكاء الاصطناعي، وهو الحد من استهلاك الطاقة والقيود الحرارية المرتبطة بأعباء عمل الذكاء الاصطناعي المتنامية بسرعة.

أصبح نقل البيانات بين المعالجات والذاكرة عاملاً رئيسيًا في زيادة استهلاك الطاقة وزمن الاستجابة والتحديات الحرارية في الأنظمة، وذلك في ظل استمرار توسّع النماذج الأساسية من مليارات إلى تريليونات من المعلمات. وهنا يأتي دور تكنولوجيا الحوسبة التناظرية داخل الذاكرة (A-IMC) التي تعالج هذه المشكلة عن طريق بنية مختلفة جذريًا، إذ تُنفَّذ عمليات المصفوفات مباشرةً في موقع تخزين أوزان النموذج، ما يقلل بصورة كبيرة من نقل البيانات ويعزز أداء النظام وكفاءة استهلاك الطاقة، أي بعبارة أخرى: إجراء عملية الحوسبة حيثما تستقر أوزان نموذج الذكاء الاصطناعي.

يستعرض العمل المنشور نظامًا للذكاء الاصطناعي على SoC قائمًا على الميمريستور، ينفذ عمليات التفاف حسب العمق بكفاءة، والتي تُعدّ إحدى اللبنات الأساسية لأعباء عمل الاستدلال بالذكاء الاصطناعي الحديثة، ولا يقتصر هذا المشروع على إثبات جدوى تكنولوجيا الحوسبة التناظرية داخل الذاكرة، بل يستعرض أيضًا نجاح دمج أجهزة الذاكرة الناشئة، وتصميم الدوائر، وبنية الذكاء الاصطناعي، والبرمجيات، وآليات تحسين الأنظمة في منصة عملية لأشباه الموصلات.

والأهم من ذلك، يجسد المشروع قوة التعاون الهندسي بين فريقي SK hynix RTC وTetraMem، إذ يجمع بين خبراتهما المتكاملة لدفع عجلة تطوير تقنيات حوسبة الذكاء الاصطناعي المرتكزة على الذاكرة.

 صرح Glenn Ge، المدير التنفيذي لشركة TetraMem وأحد مؤسسيها، قائلاً: "يشرفنا الاحتفاء بهذا الإنجاز المهم جنبًا إلى جنب مع SK hynix". "يُظهر هذا الإنجاز النجاحات التي يمكن تحقيقها بفضل التعاون الوثيق عبر منظومة أشباه الموصلات، ومع استمرار تطور الذكاء الاصطناعي، ستتطلب الإنجازات الرائدة ابتكارات فاعلة لا تقتصر على مجال الحوسبة فحسب، بل تشمل أيضًا تقنيات الذاكرة وبنية الأنظمة. ومن جانبنا، فنحن نؤمن بأنَّ الحوسبة المرتكزة على الذاكرة والحوسبة التناظرية داخل الذاكرة ستصبحان من التقنيات ذات الأهمية المتزايدة في مواجهة تحديات كفاءة الطاقة والقيود الحرارية التي تكتنف مجال الذكاء الاصطناعي مستقبلاً، لذا، فإننا نتطلع إلى مواصلة تعاوننا مع SK hynix."

 صرح Soo Gil Kim، نائب رئيس شركة SK hynix، قائلاً: "يسرّنا أن نشهد النجاح الذي أثمر عنه هذا التعاون، والإشادة التي حظي بها من مجلة Advanced Intelligent Systems، فهذا المشروع يبرز قيمة استكشاف تقنيات الذاكرة المبتكرة وبنيات الحوسبة الجديدة ودورها في تطوير أنظمة الذكاء الاصطناعي المستقبلية. ومن جانبنا، فنحن نُقدّر التعاون الممتاز مع فريق TetraMem، ونتطلع إلى مواصلة التبادلات التقنية في المجالات ذات الاهتمام المشترك."

يُعدّ اختيار العمل ليكون موضوع الغلاف الرئيسي للمجلة اعترافًا إضافيًا بأهمية هذا الإنجاز المشترك وبالأهمية المتزايدة للحوسبة المرتكزة على الذاكرة في قطاع الذكاء الاصطناعي.

استشرافًا للمستقبل، تدرك الشركتان أنَّ البنية التحتية المستقبلية للذكاء الاصطناعي ستتطلب مواصلة دفع عجلة التقدم في تقنيات الذاكرة، وبنيات الحوسبة، وتكامل الأنظمة، لتلبية المتطلبات المتزايدة المتعلقة بالأداء وكفاءة الطاقة والحوسبة المستدامة. واستنادًا إلى نجاح هذا التعاون، تتطلع المؤسستان إلى استكشاف فرص إضافية للتعاون التقني من شأنها دفع عجلة تطوير تقنيات حوسبة الذكاء الاصطناعي من الجيل التالي.

 أصبحت الورقة البحثية بعنوان "نظام SoC للحوسبة داخل الذاكرة قائم على الميمريستور مع عملية التفاف حسب العمق فعّالة" متاحة الآن على الإنترنت في مجلة Advanced Intelligent Systems.

 نبذة عن TetraMem

تُعدّ TetraMem Inc.‎ شركة متخصصة في أشباه الموصلات في سيليكون فالي، ورائدة في مجال الحوسبة التناظرية داخل الذاكرة (A-IMC) القائمة على تقنية الميمريستور متعدد المستويات (RRAM). إضافة إلى ذلك، تتيح منصة الحوسبة المدعومة بالذكاء الاصطناعي المرتكزة على الذاكرة إجراء عمليات استدلال بالذكاء الاصطناعي عالية الأداء وموفرة للطاقة لتطبيقات الحوسبة الطرفية، والمؤسسات، ومراكز البيانات المستقبلية.

 نبذة عن SK hynix

تُعدّ SK hynix Inc.‎ شركة عالمية متخصصة في مجال أشباه الموصلات وموردًا رائدًا لذاكرة النطاق الترددي العالي (HBM)، وذاكرة NAND Flash، وحلول الذاكرة المدعومة بالذكاء الاصطناعي المتقدمة. هذا، وتواصل الشركة تطوير تقنيات الذاكرة المبتكرة التي تدعم الجيل القادم من الذكاء الاصطناعي، والحوسبة عالية الأداء، والتطبيقات المرتكزة على البيانات في كل أنحاء العالم.

إن نص اللغة الأصلية لهذا البيان هو النسخة الرسمية المعتمدة. أما الترجمة فقد قدمت للمساعدة فقط، ويجب الرجوع لنص اللغة الأصلية الذي يمثل النسخة الوحيدة ذات التأثير القانوني.

صور / وسائط متعددة متوفرة على : https://www.businesswire.com/news/home/20260708244132/en